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从14纳米finfet工艺节点开始，三星似乎在遵循摩尔定律方面领先于TSMC和英特尔。去年年底，三星公布了其10纳米晶圆模型，现在这一过程已经开始大规模生产。
据国外媒体报道，三星今天上午宣布，其10纳米工艺技术已经开始大规模生产，配备该工艺芯片的产品将于明年上市。galaxy s8(exynos 8895处理器)可能会成为使用该行业最先进技术的第一款机型。
那么，与14纳米相比，三星的10纳米工艺有什么改进呢？
据三星称，采用10纳米工艺制造的芯片可以提高27%的性能，降低40%的功耗。此外，估计每个晶片上的芯片数量将增加30%。因此，如果不考虑产量，三星的10纳米工艺将是业界最先进的芯片工艺。
对此，三星电子代理业务部执行副总裁Yoon Jong shik表示:“行业内第一批大规模生产10纳米finfet技术产品，证明了我们在先进工艺技术方面的领先地位，并表示公司将继续推进规模化技术。”
随着三星10纳米技术的大规模生产，这意味着10纳米技术制造的处理器将在明年成为高端手机的标准。除了exynos 8895，Snapdragon 830将毫无悬念地采用最新技术。
然而，根据三星的介绍，其大规模生产的10纳米工艺是10纳米(低功耗早期)，也就是所谓的低功耗版本。明年，将会有第二个版本，10 LPP(低功率加，高级功率处理)，被业界称为高性能版本。三星的14纳米鳍场效应晶体管也存在类似的差异。
TSMC和英特尔的新流程将于何时推出？
事实上，英特尔和TSMC过去在芯片技术上一直遥遥领先，但随着三星的突然出现，它们的优势逐渐消失，现在它们成了“追逐者”。
据了解，TSMC最近在一次内部会议上宣布了最新的路线图。具体情况是，10纳米将在年底前进入大规模生产，而7纳米最早将在明年4月投入试生产。虽然比三星晚了几个月，但TSMC仍有机会竞争Snapdragon 830和苹果a10x处理器的订单。
2007年，英特尔提出了“滴答”模式，即每两年一个周期。tick代表新一代微架构处理器芯片制造工艺的更新,“tock”代表基于最后一个“tick”芯片制造工艺更新微处理器架构并提高性能。然而，近年来，英特尔有意放慢了升级过程，“滴答”模式已经名存实亡。
由于在14纳米的节点上不断跳过票证，10纳米的过程自然要比三星和TSMC晚得多。根据英特尔的官方信息，其首款10纳米处理器cannon lake要到明年年底才能量产。当然，英特尔的战略是稳定的。就技术储备而言，英特尔可能比三星和TSMC略占优势。
大基金总经理丁曾经说过，硅基半导体不会因为摩尔定律的终结而消失，相反，它们还会存在很多年。然而，后摩尔定律时代的创新在哪里？这是上游芯片制造商和晶圆厂即将面临的问题。
