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中国科学院院士、北京大学教授、江苏华工第三代半导体产业技术研究院院长甘教授致辞。
根据人民网，如何使半导体器件更小，承受更高的电压，有更低的导通电阻和更高的开关速度？基于氮化镓(gan)的第三代半导体将成为发展方向。10日，江苏华工第三代半导体产业技术研究院在苏州吴江区胡芬高新区成立，致力于第三代半导体及其应用技术的产业化。
硅半导体材料和器件在材料质量、器件设计和工艺优化方面已经成熟，硅材料正在接近其物理极限。中国科学院院士、江苏华工第三代半导体产业技术研究院院长甘赵子教授介绍说，与硅(si)功率电子器件相比，第三代宽带隙半导体氮化镓(gan)具有更高的耐压、更低的导通电阻和更高的开关速度，可以使电源系统工作在更高的频率、更低的损耗和更小的尺寸，具有非常广阔的产业发展和应用前景。
目前，世界各国都大力支持和推动第三代半导体氮化镓和碳化硅电子器件的发展。甘院士介绍，美国能源部支持第三代半导体基电力电子器件项目(开关项目)，并联合成立了下一代电力电子制造创新研究所，这是美国为振兴制造业而设立的第四个国家级研究机构。作为氮化镓研究和产业化的强国，日本也制定了各种扶持政策和项目。在商界，美国、德国、加拿大、日本和其他国家的大型电子功率器件公司正在开发和销售第三代半导体器件。在中国，也有许多大学和研究机构开展氮化镓电子器件的研究，如北京大学、南京大学、西安电子科技大学、中山大学等。在过去的两年里，几家从事gan电子器件开发的公司也相继出现。
2016年5月，中国电子信息产业集团旗下的北京大学、中山大学、中国镓半导体、彩虹蓝光的华工氮化镓功率器件团队落户苏州胡芬高新区，成立江苏华工半导体有限公司..致力于推动氮化镓产业化。华工半导体的技术团队，以北京大学、中山大学和合作产业化企业为核心，从2012年开始合作推进硅基氮化镓电力电子的产业化，攻克了相关材料和器件产业化的关键技术。
为了加快技术产业化，江苏华工半导体公司成立了第三代半导体产业技术研究院。北京大学宽带隙半导体联合研究中心主任、江苏华工第三代半导体产业技术研究院常务副院长张国一教授介绍，未来的研究院将具备四大功能。
一是第三代半导体技术开发基地围绕第三代半导体和电力电子技术产业链的上下游，引进北京大学和仲达大学的技术和团队，开发材料、工艺、封装和应用解决方案等技术，推动行业快速发展和成熟；
二是以研究院为平台，引进团队开发第三代半导体终端应用技术，推动第三代半导体下游应用的发展，支持第三代半导体产业尽快做大做强；
三是成为第三代半导体产业人才的培养基地，为华工半导体自身成长和第三代半导体产业发展培养技术和管理人才；四是为华工和地方产业发展引进优质项目提供孵化器和平台。
苏州市副市长、苏州市委组织部副部长胡、吴江区委书记、吴江区高新区党工委书记李明、科技部第三代半导体材料项目管理办公室主任、第三代半导体产业技术创新战略联盟主席吴凌出席揭牌仪式。南京大学郑有炓院士发表主旨演讲。(来源:人民日报网苏州记者:王维俭)
